日本経済新聞　2002/11/21

半導体、積極投資に　日立・三菱電事業統合会社　来年度倍増１０００億円

日立製作所と三菱電機は、来春発足する半導体事業統合会社の年間設備投資額を約１千億円とする方針を決めた。両社が今年度計画する設備投資額合計の２倍の水準で、半導体チップの最先端技術である直径３００ミリの大口径ウエハーの生産能力を増強する。東芝も大口径ウエハー工場を新設する方針。海外勢に対抗して半導体大手が再び積極投資に動き始めた。
　日立と三菱電機が設立する「ルネサス　テクノロジ」の生産子会社となるトレセンティテクノロジーズ（茨城県ひたちなか市）の能力増強に重点投資する。トレセンティは昨春、月産７千枚規模で３００ミリ ウエハーの量産を始めており、投資は同ウエハーの生産増にあてる。
　現在の建屋で月１万８千枚まで能力増強が可能といい、来年度以降、段階的に先端設備を導入する。２、３年後には、デジタル家電などの中核部品となる回路線幅０．１３マイクロ（マイクロは百万分の１）メートル以下の最先端ＬＳＩ（大規模集積回路）を量産する方針。投資資金はルネサスが発足時の手元資金と営業収益で賄う。
　日立と三菱電機は２０００年度にそれぞれ２２００億円、１５００億円を半導体分野で投資。その後の情報技術（ＩＴ）不況を受け、２００１年度は日立が２２０億円、三菱電機も６００億円に投資額を圧縮。今年度計画では２４０億円、２５０億円と最低限の合理化投資に抑えている。
　しかし、米インテルや韓国サムスン電子などの海外大手は能力増強投資を継続。日立と三菱電機も国際競争力の維持には、現在の主流である２００ミリ ウエハーに比べて生産コストが３割は下がる３００ミリ ウエハーの生産能力増強を軸に、投資額の上積みが必要と判断した。

朝日新聞　2002/11/24

半導体フラッシュメモリー　富士通・米ＡＭＤ、統合へ 　　→　統合

　富士通は、携帯電話などに使う半導体のフラッシュメモリー事業で、米半導体大手、ＡＭＤと新会社を設立し、事業統合する方向で最終調整に入った。新会社の出資比率など細部を詰めたうえで、年内にも合意したい考えだ。海外の有力メーカーと組むことで業界の主導権を確保するのが狙いで、両社のシェアを合わせると、この分野では米インテルと世界１位を争う規模になる。
　合意すれば、新会社を来年度にも設立する。技術開発や生産など、両社のフラッシュメモリー事業のほぼ全般を統合する方針。両社は９３年から、開発と生産の一部で事業提携し、福島県会津若松市にほぼ折半出資の工場を持つ。一体化でさらに開発と生産のスピードを速め、大量生産による効率化を図る。

　市場調査会社などによると、世界市場での出荷額シェア（０１年）は首位インテルが約２６％で、２位のＡＭＤが約１３％、３位の富士通が約１１％。４位以下は１０％以下。ただ、大手の富士通でも携帯電話の価格下落などの影響で、今夏ごろから事業の収益が悪化していた。

　フラッシュメモリーは電源を切っても情報を保持でき、動画受信など情報の大容量化が進む携帯電話やデジタル家電に使われる。全世界の市場規模は１兆円前後とされるが、今後拡大が見込まれる。

　日本の半導体業界は、かつてパソコン向けなどの半導体メモリー、ＤＲＡＭで世界の上位を独占したが、ＤＲＡＭでは価格競争で韓国メーカーなどに敗れた。このため日本メーカーは、技術力でまだ優位にあるフラッシュメモリーで、世界上位を確保する戦略を加速している。国内半導体最大手の東芝は生産能力の大幅な増強を検討中。日立製作所と三菱電機は来年４月に新会社を設立して事業を統合する。

2003/4/1　富士通/AMD　

富士通とAMDがフラッシュメモリ事業を統合
　　〜マーケティング・開発・製造を行う新合弁会社設立へ〜

　富士通株式会社（本社：東京都千代田区 以下「富士通」）と米国Advanced Micro Devices, Inc.（本社：米国カリフォルニア州サニーベール 以下「AMD」）はこのほど、両社のフラッシュメモリ事業を統合再編し、米国に新会社「FASL Limited Liability Company」を設立することについて、基本合意書を締結しました。

　富士通とAMDは、これまでの富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株式会社（本社：会津若松市 略称「FASL」）での製造合弁での実績を基に、さらに両社のフラッシュメモリのマーケティング・開発・製造機能を一体化させることにより、事業の効率化と競争力強化を実現してまいります。

　具体的な合意の内容は、次のとおりです。

これに伴い、新会社へは以下が移管されます。

　新会社は、富士通／AMDの間での最終契約および関係当局の認可後、2003年（暦年）第3四半期を目処に、営業を開始する予定です。

　新会社は、フラッシュメモリの専業会社として、両社の高度なテクノロジや製造能力を融合しお客様のニーズに迅速かつ的確に応え、今後とも成長の見込まれる市場におけるリーディングカンパニーを目指してまいります。

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日本経済新聞　2003/4/1

富士通・米ＡＭＤ　事業統合　フラッシュメモリー世界２位に

　富土通は米半導体大手のアドバンスト・マイクロ・デバイス（ＡＭＤ）と、主要半導体のフラッシュメモリー（電気的に一括消去・再書き込み可能なメモリー）事業を統合する。米国に共同出資の新会社を設立する。日米の半導体大手が事業統合するのは初めて。米インテルに次ぐフラッシュメモリー世界二位の企業として成長市場で生き残りを目指す。

日本経済新聞　2003/2/22

ＮＥＣ・日立ＤＲＡＭ連合　インテルが資金支援
　２００億円　世界３強めざす

　ＮＥＣと日立製作所が折半出資する半導体メーカーのエルピーダメモリ（東京・中央）は、米インテルから２００億円程度の資金を受け入れる方向で最終調整に入った。パソコン用の主要半導体であるＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）事業を国内で唯一手掛けるエルピーダは、インテルの支援を得て増産体制を構築、韓国サムスン電子、米マイクロン・テクノロジーと並ぶＤＲＡＭ世界三強を目指す。

日本経済新聞　2003/6/4

エルピーダ　１０００億円調達　ＤＲＡＭ生産５倍　インテルなど３０社出資

　ＮＥＣと日立製作所が折半出資する半導体メーカー、エルピーダメモリは１０月に１千億円を調達する。３日に同社への出資を発表した米インテルや親会社２社に加え国内外の半導体関連企業など約３０社が出資する。エルピーダは調達資金を設備投資に使い、最先端製品の生産能力を５倍以上に引き上げる。
　エルピーダは国内唯一のＤＲＡＭ（記億保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）メーカー。非上場企業が１千億円を一度に調達するのは異例。インテルが１億ドル（約１２０億円）、親会社２社がそれぞれ最大９５億円出資する。３社以外の出資は坂本幸雄エルピーダ社長が同日、日本経済新聞のインタビューで明らかにした。
　エルピーダが配当を優先する必要のない無議決権株式を発行。米部品メーカー、国内の半導体製造装置メーカーや商社などが５億−６０億円程度の出資に応じる。一部は投資組合を活用する。
　エルピーダは１月に広島県の工場で直径３００ミリシリコンウエハー対応の最新鋭工場を稼働。８００億円を投じ月３千枚の生産能力を来年２月に同１万６千枚に引き上げる。